Memória HMC da Micron promete turbinar em 20X o desempenho das DDR3

A Micron Technology anunciou o desenvolvimento de uma nova tecnologia de memória híbrida que promete aumentar em até 20 vezes o desempenho dos módulos DRAM, como é o caso das atuais DDR3.

Chamada de “Hybrid Memory Cube”, a tecnologia será apresentada em detalhes durante a conferência para investidores no Arizona, e promete acabar com o maior gargalo da atual tecnologia das memórias de acesso randômico direto.

Além do impressionante ganho em desempenho, o HMC tem uma eficiência energética exponencial em relação às atuais memórias, necessitando de apenas um décimo de energia por bit, com uma arquitetura que economia aproximadamente 90% de espaço em comparação à atual geração de DRAMs.
Essencialmente, o desempenho da DRAM é limitado pela capacidade do canal de dados que fica entre a memória e o processador. Não importa o quanto mais rápido o módulo seja, pois o canal normalmente gargala o desempenho.

A Micron utilizou a tecnologia TSV (through-silicon via) para empilhar memória no topo do chip controlador ("camada de lógica). Na verdade o segredo por trás do HMC está na adição do chip controlador à memória. "Ao colocar esta camada lógica, que é na verdade um chip controlador, a Micron foi capaz de superar o gargalo do canal de dados, ao criar um barramento de altíssima velocidade que vai do chip controlador à CPU.

A tecnologia atingirá em um primeiro momento em companhias que necessitam de um alto poder de computação, bem como empresas de infraestrutura de rede, como é o caso de servidores que atual na computação em nuvem. De acordo com a Micron, o HMC deverá entrar em nível comercial no início de 2012, devendo chegar aos lares dos consumidores “comuns” em meados de 2015-2016.