Imagem de uma RAM magnetoelétrica (MeRAM) desenvolvida pela UCLA
Pesquisadores da Universidade da Califórnia (UCLA), em Los Angeles, estão desenvolvendo o futuro das memórias RAMs. Trata-se da MeRAM (RAM magnetoelétrica), aprimoramento da RAM Magneto-resistiva (MRAM).
A MRAM utiliza torque de transferência de rotação (STT), tecnologia dependente da rotação e carga dos elétrons para armazenar informações. O problema da MRAM é que esta não tem grande densidade de dados, significando que menos informações podem ser armazenadas em um chip. Esta limitação se deve em virtude dos elétrons nos quais o STT se baseia, não podem estar muito próximos uns dos outros. Do contrário, a incidência de erros provocados pela escrita de dados é aumentada substancialmente, ao ponto de tornar a tecnologia inviável.
Os cientistas da UCLA superaram esta limitação usando um método diferente para gravar as informações nos chips, tornando assim a MeRAM cinco vezes mais eficiente em se tratando de densidade de dados. Além disso, o novo método também permitiu que a RAM magnetoelétrica necessite de 10 a 1000 vezes menos energia.
Outro ponto em favor da MeRAM sobre as atuais tecnologias baseadas nas memórias de acesso randômico (como é o caso das DDR3) diz respeito a volatilidade dos dados. Enquanto que praticamente todas as memórias baseadas na RAM tradicional perdem as informações ao ficar sem energia, a RAM magnetoelétrica tem a capacidade de armazenar os dados mesmo quando o sistema é desligado.
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