Intel e Micron desenvolvem NAND flash de 25nm e 3bpc

    A Intel em conjunto com a Micron informaram ter produzido com sucesso o primeiro “lote” de chips de memórias NAND flash com litografia de 25nm, trazendo ainda 3 bits por célula (3bpc).
O novo dispositivo de 64 gigabit com 3bpc de 25nm prover um significante acréscimo na capacidade de armazenamento para pendrives, cartões de memória SD (Secure Digital) e demais dispositivos eletrônicos.

“Projetado pela joint venture formada entre Intel e Micron (IM Flash Technologies - IMFT), os chips de 64Gb ou 8GB de 25nm armazenam 3 bits de informação por célula, ao invés do tradicional modelo de 1 bit (single-level) ou 2 bits (multi-level)," explicou Tom Rampone, vice presidente da Intel.

“Além disso, o dispositivo é 20% menor em relação aos chips MLC de 25nm produzidos pela Intel e Micron, sendo na realidade o menor chip único de 8GB em produção, sendo ideal para dispositivos compactos”, acrescentou o executivo.

De acordo com Rampone, o chip tem die aproximado de 131mm2, sendo projetado em um encapsulamento TSOP.