A Plextor surpreendeu os presentes na CeBIT 2013 – feira internacional de tecnologia que está acontecendo esta semana em Hannover, na Alemanha – ao revelar um protótipo de drive de estado sólido com memórias flash NAND do tipo TLC (Triple-Level Cell, ou Célula de Triplo Nível), ao invés do tradicional MLC (Multi-Level Cell, ou Célula Múlti-Nível).
Esclarecendo, de forma simplificada, as memórias Flash NAND podem utilizar três formas para o armazenamento das informações: SLC (single-level cell, ou célula de nível único), MLC (multi-level cell, ou célula de múltiplos níveis) e TLC (triple-level cell, ou célula de triplo nível).
No modelo SLC, cada célula armazena apenas um bit de informação, traduzindo assim em dois estágios (0 e 1). Já o MLC possui 4 estágios (00, 01, 10, 11), por meio do armazenamento de dois bits de informação. Finalmente o TLC armazena 3 bits de informação, resultando em 8 estágios (000, 001, 010, 011, 100, 101, 110 e 111).
Vale ressaltar que, a medida que se aumenta a quantidade de bits de informação por célula, é necessário reduzir os níveis de energia para a “identificação” do ponto certo do registro da informação. De forma mais clara (e hipoteticamente falando), enquanto que o SLC registra apenas dois estágios de corrente : 0mV e 1mV, o MLC precisaria identificar 0mV, 0,33mV, 0,66mV e 1mV), enquanto que o TLC necessitaria identificar 0mV, 0,14mV, 0,28mV, 0,43mV, 0,57mV, 0,71mV, 0,86mV e 1mV). Esta ampliação nos níveis de corrente elétrica, resulta, em última instância, um aumento na quantidade de erro na identificação da correta intensidade de energia.
Assim, enquanto que os módulos NAND Flash SLC tem uma vida útil de 100 mil ciclos, o MLC tem 10 mil ciclos, enquanto que o TLC tem vida útil de 5 mil ciclos. Isso é um dos grandes motivos.
Apesar de uma menor longevidade, a Plextor acredita que o custo benefício do uso do TLC sobre o MLC (custo por GB cerca de 33% menor) “seduzirá” o mercado consumidor. Prova é tanto que a empresa já definiu uma previsão para lançamento de seu SSD: agosto.
O drive de estado sólido com memórias TLC da Plextor utilizará uma combinação de chips NAND de 19nm da Toshiba, com controladora Marvell 88SS9189.
De acordo com a companhia, a linha será composta por 3 modelos: 128GB, 256GB e 512GB, respectivamente com 256MB, 512MB e 768MB de memória cachê do tipo DDR. Enquanto que o modelo de menor capacidade terá taxa de leitura de 530MB/s e escrita de 360MB/s, as versões maiores terão 540MB/s de leitura e 450MB/s (modelo com 256GB) e 465MB/s (modelo com 512GB) de escrita. Em relação ao IOPS randômico 4K, a taxa é de 80 mil para leitura e 72 mil para escrita.
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