O futuro da computação moderna pode passar por uma nova transformação tecnológica nos próximos anos com a descoberta de um novo material para a construção das chamadas memórias de acesso aleatório resistivas (ReRAM).
Para quem ainda não sabe, as ReRAMs são uma espécie de memristor (propriedade importante que permite que um dispositivo imite o funcionamento de neurônios), chips baseados em materiais cuja resistência elétrica muda quando uma voltagem é aplicada, onde estes conseguem “lembrar-se" desta mudança, mesmo quando a energia é desligada.
Assim como as memórias NAND flash (presentes nos SSDs), as ReRAMs mantêm os dados na falta de energia. A vantagem das memórias de acesso aleatório resistivas para as NAND flash está na velocidade, ao ponto de serem rápidas o suficiente para serem utilizadas como memória principal de um computador.
Embora a ReRAM não possa ser considerada como algo novo, a novidade agora está na criação, por parte de um grupo de pesquisadores da UCL (University College London), do primeiro chip de memória RAM Resistiva puramente baseado em óxido de silício.
De acordo com os cientistas, tal chip realiza a comutação da resistência elétrica de forma muito mais eficiente que os outros modelos de ReRAM. No novo material, filamentos de silício menos resistivos são formados dentro do óxido de silício sólido. A presença ou ausência desses filamentos representam a troca de um estado para outro.
Outra vantagem do novo modelo é que os chips não requerem um vácuo para funcionar, sendo, portanto, potencialmente mais barato e mais durável que os atuais protótipos de ReRAM. Por fim, mas não por menos, é que a presença do óxido de silício puro também poderia ser usado em telas sensíveis ao toque e em dispositivos móveis.
De acordo com o pesquisador Tony Kenyon da UCL, os chips de memória RAM Resistiva com óxido de silício necessitam apenas de um milésimo da energia se comparados com as NAND flashes, além de serem cerca de cem vezes mais rápidos.
Comente com sua conta Blogger
Comente com sua conta Google+
